金融界2023年12月22日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“三维铁电随机存储器器件“，公开号CN117279390A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种三维铁电随机存储器(3D FeRAM)器件包括：电容器结构，包括在基板上的第一电容器电极、围绕第一电容器电极的侧壁的铁电图案以及围绕并接触铁电图案的外侧壁的多个第二电容器电极，第一电容器电极在基本上垂直于基板的上表面的垂直方向上延伸，所述多个第二电容器电极在垂直方向上彼此间隔开；存取晶体管，包括在第一电容器电极上的沟道层、围绕沟道层的外侧壁的栅极绝缘层以及围绕栅极绝缘层的外侧壁的栅电极；在沟道层上的导电焊盘；在导电焊盘上的接触插塞；以及在接触插塞上的位线。
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